日前，第十一届中国专利奖在京正式揭晓，中国科学院上海硅酸盐研究所葛增伟等同志发明的“一种二氧化碲单晶体的坩埚下降生长方法”（中国专利号ZL03141999.2）经多轮评审，获中国专利优秀奖。

该发明专利克服了以往技术易穿漏、成品率低和晶体厚度小的缺点，提高了晶体质量，降低了生产成本，成功生长出大尺寸、高纯、优质二氧化碲单晶。

本届专利奖是我国颁布实施《国家知识产权战略纲要》以来的首次评奖。本届参评项目整体水平较高，，评奖标准不仅强调项目的专利技术水平和创新高度，也注重其在市场转化过程中的运用情况，同时还对其保护状况和管理情况提出要求。为保证评选的公平公正性，国家知识产权局于2009年9月16日至10月16日对参评项目进行了公示。